深圳沃飞分享半导体生产常见气体的用途
1、硅烷(SiH4)，有毒：硅烷在半导体工业中主要用于制作高纯多晶硅、通过气相淀积制作二氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、多晶硅隔离层、多晶硅欧姆接触层和异质或同质硅外延生长原料、以及离子注入源和激光介质等，还可用于制作太阳能电池、光导纤维和光电传感器等。,2、锗烷(GeH4)，剧毒：金属锗是一种良好的半导体材料，锗烷在电子工业中主要用于化学气相淀积，形成各种不同的硅锗合金用于电子元器件的制造。$
3、磷烷(PH3)，剧毒：主要用于硅烷外延的掺杂剂，磷扩散的杂质源。同时也用于多晶硅化学气相淀积、外延GaP材料、离子注入工艺、化合物半导体的MOCVD工艺、磷硅玻璃(PSG)钝化膜制备等工艺中。2 L/ F) Q%|) `1 o5 k
4、砷烷(AsH3)，剧毒：主要用于外延和离子注入工艺中的n型掺杂剂。9 ?,
5、氢化锑(SbH3)，剧毒：用作制造n型硅半导体时的气相掺杂剂。
6、乙硼烷(B2H6)：窒息臭味的剧毒气体，硼烷是气态杂质源、离子注入和硼掺杂氧化扩散的掺杂剂，它也曾作为高能燃料用于火箭和导弹的燃料。
7、三氟化硼(BF3)：有毒，极强刺激性，主要用作P型掺杂剂、离子注入源和等离子刻蚀气体。
8、三氟化氮(NF3)：毒性较强，主要用于化学气相淀积(CVD)装置的清洗。三氟化氮可以单独或与其它气体组合，用作等离子体工艺的蚀刻气体，例如，NF3、NF3/Ar、NF3/He用于硅化合物MoSi2的蚀刻;NF3/CCl4、NF3/HCl既用于MoSi2的蚀刻，也用于NbSi2的蚀刻。
9、三氟化磷(PF3)：毒性极强，作为气态磷离子注入源。3 `; |8 K, h* r:
10、四氟化硅(SiF4)：遇水生成腐蚀性极强的氟硅酸，主要用于氮化硅(Si3N4)和硅化钽(TaSi2)的等离子蚀刻、发光二极管P型掺杂、离子注入工艺、外延沉积扩散的硅源和光导纤维用高纯石英玻璃的原料。
11、五氟化磷(PF5)：在潮湿的空气中产生有毒的氟化氢烟雾，用作气态磷离子注入源。% D! Q. A$ P L$ V o
12、四氟化碳(CF4)：作为等离子蚀刻工艺中常用的工作气体，是二氧化硅、氮化硅的等离子蚀刻剂。
13、六氟乙烷(C2H6)：在等离子工艺中作为二氧化硅和磷硅玻璃的干蚀气体。
14、全氟丙烷(C3F8)：在等离子蚀刻工艺中，作为二氧化硅膜、磷硅玻璃膜的蚀刻气体。
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